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SIA414DJ-T1-GE3

功能描述：MOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V

RoHS：否

制造商：STMicroelectronics

晶体管极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：650 V

闸/源击穿电压：25 V

漏极连续电流：130 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms

配置：Single

最大工作温度：

安装风格：Through Hole

封装 / 箱体：Max247

封装：Tube

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